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MMBT2222AWT1G中文资料

MMBT2222AWT1G图片

MMBT2222AWT1G外观图

  • 大小：78KB
  • 厂家：ON Semiconductor
  • 描述： BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:300MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain Max (hfe):300 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 50mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 150mA，10V
  • 功率 - 最大：150mW
  • 频率 - 转换：300MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-70，SOT-323
  • 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBT2222AWT1GOSMMBT2222AWT1GOS-NDMMBT2222AWT1GOSTR

MMBT2222AWT1G供应商

更新时间:2023-01-04 01:22:18
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MC34072ADR2GMT48LC16M16A2P-75:DMGA-81563-TR1GM25P80-VMN6TPMJE15034GMM1636XWREMMBZ5256BLT1GMP1530DM-LF-ZMTD6N20ET4GMX29F040QC-70

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